太陽能教學設備進行導電性能測試的原理是:通過半導體與冷、熱探筆接觸后,由于載流子的熱運動與溫度有關,熱區的載流子熱運動速度大,冷區熱運動速度小,因此在冷、熱兩端形成空穴或自由電子的濃度差,從而產生溫差電動勢來測量。
二、少子壽命短的測試 日能教學法研究臺所采用電脈寬各類光脈寬的方式,從半導內激發起非穩定平穩載流子,調整了半導的體電容功率器,電容功率率曾加,合格品的電容功率器擴大,如此合格品上流過的低頻工作電流的幅值曾加,用校正體電容功率器或并聯電路圖電容功率器兩端電流的影響原理來仔細觀察半導的材料中的非穩定平穩眾多載流子的衰減原理,因而法測其壽命短。 三、參與四檢測器法檢測硅多晶硅電容率 四測試電極法用針距約為1mm的四條線測試電極這個時間壓在硅多晶硅供試品的表層平整表層上,回收利用恒流源給表面二根測試電極通以直流端電壓,最后在間二根測試電極采用電極電勢差計自動測試端電壓降,最后要根據求出簡略 工式,在當中四條線測試電極排布在這個條直在線,距離相同,這時測試電極因子只是 這個常數。在實際的自動測試作業中,為了讓運算利于,通常令直流端電壓I在指數量上與測試電極因子C相同,即I=C,于是乎ρ=V23,這時測試電極2與3左右測量電極電勢差在指數量上就相當于供試品的電阻器率。太陽能教學設備不僅僅可以用于硅材料檢測的實訓項目,其他實訓項目如果您有興趣了解,咨詢上海上益。